型号 | SI5481DU-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
SI5481DU-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI5481DU-T1-E3 |
产品目录绘图 | SI548xDU-T1-E3 Series |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 8V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1610pF @ 10V |
功率 - 最大 | 17.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 单 |
供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFET 单通道 |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SI5481DU-T1-E3CT |